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\begin{document}
\small
\twocolumn

\title{\bf \huge
高強度レーザーの吸収機構
}
\author{}
\maketitle
\thispagestyle{empty}
\vspace{-5cm}

\section{背景}
高強度レーザーがプラズマと相互作用するとその強い輻射圧によって密度勾配が
形成される。形成された密度勾配はレーザーの吸収に様々な影響を及ぼす。
高強度レーザーによって形成される密度勾配は急峻なため、なだらかな密度勾配
で支配的に働く共鳴吸収機構やパラメトリック吸収機構とは異なった吸収機構が
支配的に働くこととなる。
ここではレーザー強度を指標にし、そのときに支配的な吸収機構別に区分してい
く。
レーザーの輻射圧がプラズマの圧力より弱い場合
\begin{itemize}
 \item 逆制動輻射\cite{seido}
 \item 異常表皮効果\cite{hyouhi}
\end{itemize}
などの吸収機構が支配的に働く。レーザー輻射が強く、プラズマの圧力を上回る
場合
\begin{itemize}
 \item 疑似共鳴吸収\Cite{gizi1}{gizi2}
 \item $\bJ\times\bB$加熱\Cite{jb1}{jb2}
\end{itemize}
などが支配的となる。次に各吸収機構について簡単に述べていく。

\section{逆制動輻射}

\section{異常表皮効果}

\section{疑似共鳴吸収}
直線偏向をもったレーザーが形成された密度勾配に対して斜めに入射したとき起
こる吸収機構である。
レーザーの入射角を$\tl$とすると、レーザーの振動電場はプラズマ表面に対し
て$E_0\cos \tl$の縦電場として作用する。この縦電場によってプラズマ表面の
電子は高密度領域と真空領域の間で直接的に振動し、高い効率でレーザーエネル
ギーがプラズマに吸収されることとなる。

\section{$\bJ\times \bB$加熱}
ポンデラモーティブ力は次式で表される。ここで$m_e$は電子質量、$\om_L$はレー
ザー周波数、$v_0$は電界による振動速度をそれぞれ表している。

\begin{equation}
 f_p = -\frac{m_e}{4}\frac{\pl}{\pl x}v_0^2(x)(1-\cos 2\om_Lt)
  \label{fp}
\end{equation}

$(\ref{fp})$式の右辺の第一項が密度勾配を形成する輻射圧に相当し、振動項で
ある第二項が加熱を誘引する。
この吸収機構はレーザーの進行方向に対して2倍の周波数成分をもち、進行方向
に電界による振動速度$v_0$をもった高周波電子を高い効率で生成することにな
る。
また、レーザーの2倍の高周波を同時に発生する。

\newcommand{\abit}{\vspace{-3pt}}
\begin{thebibliography}{9}
\abit
\bibitem{seido}
P.J.Catto and R.M.More,Phys.Fluids {\bf 20},704,1977.

\abit
\bibitem{hyouhi}
E.S.Weibel,Phys.Fluids {\bf 10},741,1967.

\abit
\bibitem{gizi1}
F.Brunel,Phys.Rev.Lett {\bf 59},52,1987.

\abit
\bibitem{gizi2}
F.Brunel,Phys.Rev.Lett {\bf 31},2714,1988.

\abit
\bibitem{jb1}
S.C.Wilks et al.,Phys.Rev.Lett {\bf 69},1383,1992.

\abit
\bibitem{jb2}
W.L.Krure and K.Estabrook,Phys.Fluids {\bf 28},430,\ 1985.

\end{thebibliography}%
\end{document}